本月初，美光（Micron）宣布正在交付全球首款基于1γ工艺的LPDDR5X内存样品。这属于第六代10nm级别1γ（1-gamma）DRAM节点产品，是美光首款采用EUV光刻技术打造的移动解决方案，利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。美光还利用包括下一代高K金属栅极技术在内的CMOS技术，提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计和更小的特征尺寸云燚网，为1γ DRAM节点带来功耗降低和性能扩展的双重优势。
据TomsHardware报道，近日美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在2025财年第三财季财报电话会议上，介绍了基于1γ工艺的LPDDR5X内存情况，表示新产品非常地出色，良品率的提升速度超过了第五代10nm级别1β（1-beta）DRAM节点上创造的速度记录，预计本季度内将完成几个关键的产品里程碑。
按照美光的说法，相比于1β DRAM节点，新一代1γ DRAM节点有望将DRAM功耗降低20%，同时性能提升15%，另外位密度提高了30%，带来了非常显著的改进。一旦1γ DRAM节点的良品率达到1β DRAM节点相近的水平，转化到生产上，很可能会大幅降低成本。
除了PLDDR5X以外，美光在更早之前还将1γ DRAM节点用于DDR5。Sanjay Mehrotra强调，美光将在整个DRAM产品线中引入1γ DRAM节点，未来还会用于GDDR7和面向数据中心的产品。
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